驾驶舱电子设备
通过引入蝇线控（FBW）的电子飞行控制航空电子系统的，飞行控制的运动被转换为通过导线传送的电子信号和飞行控制计算机确定如何在每个控制表面上移动的致动器，以提供预期的响应。 |
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120瓦，50伏特，960-1215MHz E类无耳驱动的GaN晶体管特点9更多
120瓦，50伏特，960-1215MHz E类无耳驱动的GaN晶体管的主要特点更多
120瓦，50伏特，960-1215MHz E类无耳驱动的GaN晶体管的主要特点更多
所述0912GN-300V是一个内部匹配，共源极AB类的GaN上的SiC HEMT TRA更多
所述0912GN-500LV是一个内部匹配，共源极AB类的GaN上的SiC HEMT TR更多
所述0912GN-650V是一个内部匹配，共源极AB类的GaN上的SiC HEMT TRA更多
所述1011GN-1000V是一个内部匹配，共源极AB类，氮化镓上的SiC HEMT吨更多
所述1011GN-1200V是一个内部匹配，共源极AB类，氮化镓上的SiC HEMT吨更多
所述1011GN-125E / EL / EP是一个内部匹配，公共源极，AB类，氮化镓上的SiCħ更多
所述1011GN-125E / EL / EP是一个内部匹配，公共源极，AB类，氮化镓上的SiCħ更多
所述1011GN-125E / EL / EP是一个内部匹配，公共源极，AB类，氮化镓上的SiCħ更多
在1030 / 1090MHz本，50V或52V 1011GN-1600VG是一个内部匹配，公共源极，C更多
所述1011GN-250E / EL / EP是一个内部匹配，公共源极，AB类，氮化镓上的SiCħ更多
所述1011GN-250E / EL / EP是一个内部匹配，公共源极，AB类，氮化镓上的SiCħ更多
所述1011GN-250E / EL / EP是一个内部匹配，公共源极，AB类，氮化镓上的SiCħ更多
所述1011GN-800V是一个内部匹配，共源极AB类，氮化镓上的SiC HEMT TR更多
所述1012GN-1000V是一个内部匹配，共源极，AB类，氮化镓上的碳化硅HEMT吨更多
1025年至1150年兆赫800W L波段航空电子输出级的GaN晶体管更多
所述1214GN-600VHE是一个内部匹配，共源极AB类的GaN上的SiC HEMT吨更多
所述1214GN-650V是一个内部匹配，共源极AB类的GaN上的SiC HEMT TRA更多
所述1214GN-700V是一个内部匹配，共源极，AB类氮化镓上的碳化硅HEMT TRA更多
所述MDSGN-750ELMV是一个内部匹配，共源极AB类，氮化镓上的SiC HEMT更多
